1999 Apr 22 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier diodes
PRLL5817; PRLL5818;
PRLL5819
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb
=
25
°C unless otherwise specified.
Note
1. Pulse test: tp
=
300
μs; δ
=
0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOD87 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
see
Fig.2
PRLL5817
IF
=
0.1
A
?
?
320
mV
IF
=
1
A
?
?
450
mV
IF
=
3
A
?
?
750
mV
VF
forward voltage
see
Fig.2
PRLL5818
IF
=
0.1
A
?
?
330
mV
IF
=
1
A
?
?
550
mV
IF
=
3
A
?
?
875
mV
VF
forward voltage
see
Fig.2
PRLL5819
IF
=
0.1
A
?
?
340
mV
IF
=
1
A
?
?
600
mV
IF
=
3
A
?
?
900
mV
IR
reverse current
VR
=
VRRMmax; note
1
?
0.5
1
mA
VR
=
VRRMmax; Tj
=
100
°C
?
5
10
mA
Cd
diode capacitance
VR
=
4
V; f
=
1
MHz
PRLL5817
?
70
?
pF
PRLL5818
?
50
?
pF
PRLL5819
?
50
?
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
150
K/W
*型号 *数量 厂商 批号 封装
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